第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

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当地时间周四，功率半导体龙头英飞凌披露三季报，公司三季度营收40.9亿欧元（约合44.7亿美元），同比增长13%；调整后的净利润为10.67亿欧元，环比下降10%，利润率26.1%低于预期。

公司首席执行官Jochen Hanebeck表示，半导体市场趋势“阴晴不定”，电动汽车与新能源需求较高，但个人电脑与智能手机等消费电子产品需求较低。

英飞凌在声明中表示，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。

此外，其还将对位于奥地利菲拉赫以及马来西亚居林的现有工厂进行8英寸改造。根据英飞凌的估计，这些基于SiC的投资将在2025年为英飞凌带来10亿欧元的年营收，而到了2030年，将带来70亿欧元的年营收，并且使得英飞凌占据全球30%的SiC份额。

当前，英飞凌已经获得了包括50亿美元的新设计合同，并拿到了约10亿美元的预付款，其在汽车领域的客户有包括福特、上汽、奇瑞在内的六家车厂。在可再生能源领域，客户包括SolarEdge和其它三家中国光伏和储能企业。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示:“SiC市场不仅在汽车领域，而且在太阳能、储能和大功率电动汽车(EV)充电等广泛的工业应用领域都呈现出加速增长的趋势。”“随着居林的扩张，我们将确保我们在这个市场的领导地位，”

来源：化合物半导体市场等

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察（重点企业或园区）

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